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参数资料
| 型号： | MSD130-16 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CASE M3, 5 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | MSD130-16 |
MSD130-16
MSD130-16-Rev 0
www.microsemi.com
May, 2009
3/3
Package Outline Information
CASE-M3
Dimensions in mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSD160-16 | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MSD51A1/FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT |
| MSD52A1/FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT |
| MSD54A1/FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT |
| MSD53A4G5-FREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.8 MHz - 156.25 MHz, LVCMOS OUTPUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSD130-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk |
| MSD1328 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:NPN Low Voltage Output Amplifiers |
| MSD1328RT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23VAR |
| MSD1328-RT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD1328-RT1_04 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Low Voltage Output Amplifiers |
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