型号: | MSD130-16 |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | 桥式整流 |
英文描述: | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
封装: | CASE M3, 5 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 152K |
代理商: | MSD130-16 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MSD160-16 | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MSD200-18 | 3 PHASE, 1800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MSD30-18 | 3 PHASE, 1800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MSD50-08 | 3 PHASE, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MSD50-12 | 3 PHASE, 1200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MSD130-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk |
MSD1328 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:NPN Low Voltage Output Amplifiers |
MSD1328RT1 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23VAR |
MSD1328-RT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MSD1328-RT1_04 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Low Voltage Output Amplifiers |