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参数资料
| 型号： | MSD160-08 |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | 桥式整流 |
| 英文描述： | 3 PHASE, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CASE M3, 5 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | MSD160-08 |
MSD160
MSD160-Rev 1
www.microsemi.com
Dec, 2009
1/4
Module Type
TYPE
VRRM
VRSM
MSD160 – 08
MSD160 – 12
MSD160 – 16
MSD160 – 18
800V
1200V
1600V
1800V
900V
1300V
1700V
1900V
Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
ID
Tc=100
℃
160
A
IFSM
t=10mS Tvj =45
℃
1800
A
i2t
t=10mS Tvj =45
℃
16200
A2s
Visol
a.c.50Hz;r.m.s.;1min
3000
V
Tvj
-40 to 150
℃
Tstg
-40 to 125
℃
Mt
To terminals(M6)
5±15%
Nm
Ms
To heatsink(M6)
5±15%
Nm
Weight
Module
230
g
Thermal Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Rth(j-c)
Per diode
0.65
℃/W
Rth(c-s)
Module
0.03
℃/W
Electrical Characteristics
Circuit
Glass Passivated Three
Phase Rectifier Bridge
VRRM 800 to 1800V
ID
160 Amp
Features
Three phase bridge rectifier
Blocking voltage:
800 to 1800V
Heat transfer through aluminum oxide DCB
ceramic isolated metal baseplate
Glass passivated chip
Applications
Three phase rectifiers for power supplies
Rectifiers for DC motor field supplies
Battery charger rectifiers
Input rectifiers for variable frequency drives
-
+
~
MSD
Symbol
Conditions
Values
Units
VFM
T=25
℃ IFM =300A
1.65
V
IRD
Tvj =25
℃ VRD=VRRM
Tvj =150
℃ VRD=VRRM
≤0.5
≤6
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR1680FCTP | 16 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MP251WGPP | 25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MBRD820CTP | 4 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MA1.5KE160E3TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MASMLJ160E3TR | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MSD160-12 | 功能描述:DIODE BRIDGE 3PH 1200V 160A SM3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 桥式整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 峰值反向(最大):1000V 电流 - DC 正向(If):35A 二极管类型:单相 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 包装:托盘 供应商设备封装:ISOTOP? |
| MSD160-16 | 功能描述:MOD DIODE GPP 1600V 160A M3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 桥式整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 峰值反向(最大):1000V 电流 - DC 正向(If):35A 二极管类型:单相 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):- 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 包装:托盘 供应商设备封装:ISOTOP? |
| MSD160-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD BRIDGE 3PH 1800V 160A M3 |
| MSD1819ART1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MSD1819A-RT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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