收藏本站
参数资料
型号： MSD160-16
厂商： MICROSEMI CORP
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
封装： CASE M2, 5 PIN
文件页数： 2/3页
文件大小： 154K
代理商： MSD160-16
MSD160-16
MSD160-16-Rev 0
www.microsemi.com
May, 2009
2/3
Performance Curves
Fig1. Forward Characteristics
Fig3. Transient thermal impedance
Fig2. Power dissipation
Fig4. Max Non-Repetitive Forward Surge
Current
Fig5.Forward Current Derating Curve
0
Tc
50
100
150 °C
250
A
200
150
0
100
50
IF
400
A
300
200
100
0
VF
0.5
1.0
1.5
2.0 V
450
W
300
150
Pvtot
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100 S
1
10
cycles 100
Zth(j-C)
Typ.
25
℃
125
℃
2250
1500
750
0
3000
A
0 ID 20
40
60 80 100 120 140 160 A
ID
50Hz
0.5
0
1.0
℃/ W
相关PDF资料
PDF描述
MSD51A1/FREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT
MSD52A1/FREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT
MSD54A1/FREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2 MHz - 67 MHz, HCMOS OUTPUT
MSD53A4G5-FREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.8 MHz - 156.25 MHz, LVCMOS OUTPUT
MSD6102 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
MSD160-18 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - DIODE - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD BRIDGE 3PH 1800V 160A M3
MSD1819ART1 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
MSD1819A-RT1 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MSD1819A-RT1_10 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Transistor
MSD1819A-RT1G 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*