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参数资料
| 型号： | MSD6100 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Dual Switching Diode Common Cathode |
| 中文描述： | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-226AA |
| 封装： | CASE 29-11, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | MSD6100 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1997
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)
Rating
Symbol
Value
Unit
Reverse Voltage
VR
IF
100
Vdc
Recurrent Peak Forward Current
200
mAdc
Peak Forward Surge Current
(Pulse Width = 10
μ
sec)
IFM(surge)
500
mAdc
Power Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD(1)
625
5.0
mW
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg(1)
–55 to +135
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
(EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Breakdown Voltage
(I(BR) = 100
μ
Adc)
V(BR)
100
—
Vdc
Reverse Current
(VR = 100 Vdc)
(VR = 50 Vdc)
(VR = 50 Vdc, TA = 125
°
C)
Forward Voltage
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 10 mAdc)
(IF = 100 mAdc)
Capacitance
(VR = 0)
IR
—
—
—
5.0
0.1
50
μ
Adc
VF
0.55
0.67
0.75
0.7
0.82
1.1
Vdc
C
—
1.5
pF
Reverse Recovery Time
(IF = IR = 10 mAdc, VR = 5.0 Vdc, irr = 1.0 mAdc)
trr
—
4.0
ns
1. Continuous package improvements have enhanced these guaranteed Maximum Ratings as follows: PD = 1.0 W @ TC = 25
°
C,
Derate above 25
°
C
8.0 mW/
°
C, TJ = –65 to +150
°
C,
θ
JC = 125
°
C/W.
Order this document
by MSD6100/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 3
TO–92 (TO–226AA)
1
23
3 Cathode
Anode 1
2 Anode
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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