型号: | MSKD100-12 |
厂商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 100 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
封装: | CASE D1, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 268K |
代理商: | MSKD100-12 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MIV41001-29 | mm WAVE BAND, 0.2 pF, 55 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
MPG06A-E3/73 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
MPG06A-HE3/54 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
MADS-001340-12790T | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, C BAND, MIXER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MSKD100-18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD DIODE GPP 1800V 100A D1 |
MSKD120-08 | 功能描述:DIODE MOD GPP 800V 120A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
MSKD120-12 | 功能描述:DIODE MOD GPP 1200V 120A SD1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
MSKD120-16 | 功能描述:MOD DIODE GPP 1600V 120A CC D1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |