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参数资料
| 型号： | MSM514262-10ZS |
| 厂商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 262,144-Word x 4-Bit Multiport DRAM |
| 中文描述： | 262,144字× 4位多端口内存 |
| 文件页数： | 5/45页 |
| 文件大小： | 507K |
| 代理商： | MSM514262-10ZS |
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Semiconductor
MSM514262
5/45
DC Characteristics 2
-70
Max. Max. Max.
85
75
120
110
8
8
50
45
85
75
120
110
70
65
120
110
85
75
120
110
85
75
120
110
85
75
120
110
85
75
120
110
-80
-10
Unit Note
Symbol
Item (RAM)
SAM
65
100
8
40
65
100
60
100
65
100
65
100
65
100
65
100
mA
1, 2
1, 2
3
I
CC1
I
CC1A
I
CC2
I
CC2A
I
CC3
I
CC3A
I
CC4
I
CC4A
I
CC5
I
CC5A
I
CC6
I
CC6A
I
CC7
I
CC7A
I
CC8
I
CC8A
Operating Current
(
RAS
,
CAS
Cycling, t
RC
= t
RC
min.)
Standby Current
(
RAS
,
CAS
= V
IH
)
RAS
Only Refresh Current
(
RAS
Cycling,
CAS
= V
IH
, t
RC
= t
RC
min.)
Page Mode Current
(
RAS
= V
IL
,
CAS
Cycling, t
PC
= t
PC
min.)
CAS
before
RAS
Refresh Current
(
RAS
Cycling,
CAS
before
RAS
, t
RC
= t
RC
min.)
Data Transfer Current
(
RAS
,
CAS
Cycling, t
RC
= t
RC
min.)
Flash Write Current
(
RAS
,
CAS
Cycling, t
RC
= t
RC
min.)
Block Write Current
(
RAS
,
CAS
Cycling, t
RC
= t
RC
min.)
Standby
Active
Standby
Active
Standby
Active
Standby
Active
Standby
Active
Standby
Active
Standby
Active
Standby
Active
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
1, 2
(V
CC
= 5 V ±10%, Ta = 0°C to 70°C)
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