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参数资料
| 型号： | MSM514262-70ZS |
| 厂商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 262,144-Word x 4-Bit Multiport DRAM |
| 中文描述： | 262,144字× 4位多端口内存 |
| 文件页数： | 4/45页 |
| 文件大小： | 507K |
| 代理商： | MSM514262-70ZS |
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Semiconductor
MSM514262
4/45
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Input Output Voltage
Output Current
Power Dissipation
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
T
I
OS
P
D
T
opr
T
stg
Condition
Ta = 25°C
Ta = 25°C
Ta = 25°C
—
—
Rating
–1.0 to 7.0
50
1
0 to 70
–55 to 150
Unit
V
mA
W
°C
°C
(Note: 16)
Recommended Operating Condition
Parameter
Power Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
Symbol
V
CC
V
IH
V
IL
Min.
4.5
2.4
–1.0
Unit
V
V
V
(Ta = 0°C to 70°C) (Note: 17)
Max.
5.5
6.5
0.8
Typ.
5.0
—
—
Capacitance
Parameter
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
Output Capacitance
Symbol
C
I
C
I/O
C
O
(QSF)
Min.
—
—
—
Unit
pF
pF
pF
(V
CC
= 5 V ±10%, f = 1 MHz, Ta = 25°C)
Max.
7
9
9
Note:
This parameter is periodically sampled and is not 100% tested.
DC Characteristics 1
Parameter
Output "H" Level Voltage
Output "L" Level Voltage
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Symbol
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
Condition
I
OH
= –2 mA
I
OL
= 2 mA
0
￡
V
IN
￡
V
CC
All other pins not
under test = 0 V
0
￡
V
OUT
￡
5.5 V
Output Disable
Min.
2.4
—
–10
–10
Unit
V
m
A
Max.
—
0.4
10
10
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