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参数资料
| 型号： | MSM80C86A-10 |
| 厂商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 16-Bit CMOS Microprocessor(全静态设计,最高工作频率10MHz,数据、地址复用,16位微处理器) |
| 中文描述： | 16位CMOS微处理器（全静态设计，最高工作频率10MHz时，数据，地址复用，16位微处理器） |
| 文件页数： | 5/37页 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | MSM80C86A-10 |
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5/37
Semiconductor
MSM80C86A-10RS/GS/JS
DC CHARACTERISTICS
Max.
0.4
"L" Output Voltage
V
OL
V
"H" Output Voltage
V
OH
—
—
V
Parameter
Unit
Symbol
Min.
—
3.0
V
CC
–0.4
–1.0
–10
I
OL
= 2.5 mA
I
OH
= –2.5 mA
I
OH
= –100
m
A
0
￡
V
IN
￡
V
CC
V
O
= V
CC
or GND
Conditions
Input Leak Current
Output Leak Current
Input Leakage Current
(Bus Hold Low)
Input Leakage Current
(Bus Hold High)
Bus Hold Low Overdrive
Bus Hold High Overdrive
Operating Power
Supply Current
I
LI
I
LO
+1.0
+10
m
A
m
A
Typ.
—
I
BHL
400
m
A
50
V
IN
= 0.8 V
*3
V
IN
= 3.0 V
*4
I
BHH
–400
m
A
–50
I
BHLO
I
BHHO
600
–600
m
A
m
A
—
—
*5
*6
I
CC
10
Standby Power
Supply Current
I
CCS
500
—
—
V
IL
= GND
V
IH
= V
CC
V
CC
= 5.5 V
Outputs Unloaded
V
IN
= V
CC
or GND
mA/MHz
m
A
Input Capacitance
Output Capacitance
I/O Capacitance
C
IN
C
OUT
C
I/O
10
15
20
pF
pF
pF
—
—
—
*7
*7
*7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
(V
CC
= 4.5 to 5.5 V, Ta = –40°C to +85°C)
*3 Test condition is to lower V
IN
to GND and then raise V
IN
to 0.8 V on pins 2-16, and 35-39.
*4 Test condition is to raise V
IN
to V
CC
and then lower V
IN
to 3.0 V on pins 2-16, 26-32, and 34-
39.
*5 An external driver must source at least I
BHLO
to switch this node from LOW to HIGH.
*6 An external driver must sink at least I
BHHO
to switch this node from HIGH to LOW.
*7 Test Conditions: a) Freq = 1 MHz.
b) Unmeasured Pins at GND.
c) V
IN
at 5.0 V or GND.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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