型号: | MSMCGLCE16AE3 |
厂商: | MICROSEMI CORP |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCG, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 316K |
代理商: | MSMCGLCE16AE3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MSMCGLCE70AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
MSMCGLCE9.0ATR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
MXLSMCGLCE100ATR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
MXLSMCGLCE9.0AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
MXLSMCJLCE40ATR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MSMCGLCE170A | 功能描述:TVS DIODE 170VWM 275VC DO215AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):170V 电压 - 击穿(最小值):189V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:275V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):5.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AB,SMC 鸥翼型 供应商器件封装:SMCG(DO-215AB) 标准包装:1 |
MSMCGLCE170AE3 | 功能描述:TVS DIODE 170VWM 275VC DO215AB 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):170V 电压 - 击穿(最小值):189V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:275V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):5.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-215AB,SMC 鸥翼型 供应商器件封装:SMCG(DO-215AB) 标准包装:1 |
MSMCGLCE17A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk |
MSMCGLCE17AE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk |
MSMCGLCE18A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk |