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参数资料
| 型号： | MSP1N6383E3 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 278K |
| 代理商： | MSP1N6383E3 |
1500 WATT LOW CLAMPING FACTOR
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N6373 thru 1N6389, e3
or MPTE-5 thru MPTE-45C, e3
1N6
373
thru
1N6
389,
e3
MPTE-5
thr
u
MPTE-45
C
,e3
Pulse
current
(I
P)
in
percent
of
I
PP
Peak Value
IPP
time (t) in milliseconds
FIGURE 4
FIGURE 3
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
Pulse wave form for exponential surge
(Unidirectional Types)
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2006
3-31-2006 REVB
PACKAGE DIMENSIONS
FIGURE 5
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
(Bidirectional Types)
CASE 1
Pulse time duration (tp) is
defined as that point where
IP decays to 50% of peak
value (IPP).
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSPMPT-15CE3TR | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| MSPMPT-18CE3TR | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| MSPMPTE-8E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MVMPT-36TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-202AA |
| MVMPT-8C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-202AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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