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参数资料
型号： MSP430F133IRTD
厂商： TEXAS INSTRUMENTS INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 8 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQCC64
封装： PLASTIC, QFN-64
文件页数： 31/62页
文件大小： 1072K
代理商： MSP430F133IRTD
MSP430x13x, MSP430x14x, MSP430x14x1
MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER
SLAS272F JULY 2000 REVISED JUNE 2004
37
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
electrical characteristics over recommended operating free-air temperature (unless otherwise
noted) (continued)
12-bit ADC, timing parameters
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
NOM
MAX
UNIT
fADC12CLK
For specified performance of ADC12
linearity parameters
2.2V/
3V
0.45
5
6.3
MHz
fADC12OSC
Internal ADC12
oscillator
ADC12DIV=0,
fADC12CLK=fADC12OSC
2.2 V/
3V
3.7
6.3
MHz
tCONVERT
Conversion time
CVREF+ ≥ 5 F, Internal oscillator,
fADC12OSC = 3.7 MHz to 6.3 MHz
2.2 V/
3 V
2.06
3.51
s
tCONVERT
Conversion time
External fADC12CLK from ACLK, MCLK or SMCLK:
ADC12SSEL
≠ 0
13
×ADC12DIV×
1/fADC12CLK
s
tADC12ON
Turn on settling time of
the ADC
(see Note 1)
100
ns
tSample
Sampling time
RS = 400 , RI = 1000 ,
CI = 30 pF
3 V
1220
ns
tSample
Sampling time
S
I
CI = 30 pF
τ = [RS + RI] x CI;(see Note 2)
2.2 V
1400
ns
Not production tested, limits characterized
Not production tested, limits verified by design
NOTES:
1. The condition is that the error in a conversion started after tADC12ON is less than ±0.5 LSB. The reference and input signal are already
settled.
2. Approximately ten Tau (
τ) are needed to get an error of less than ±0.5 LSB:
tSample = ln(2n+1) x (RS + RI) x CI+ 800 ns where n = ADC resolution = 12, RS = external source resistance.
12-bit ADC, linearity parameters
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
NOM
MAX
UNIT
EI
Integral linearity error
1.4 V
≤ (VeREF+ VREF/VeREF) min ≤ 1.6 V
2.2 V/3 V
±2
LSB
EI
Integral linearity error
1.6 V < (VeREF+ VREF/VeREF) min ≤ [V(AVCC)]
2.2 V/3 V
±1.7
LSB
ED
Differential linearity
error
(VeREF+ VREF/VeREF)min ≤ (VeREF+ VREF/VeREF),
CVREF+ = 10 F (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±1
LSB
EO
Offset error
(VeREF+ VREF/VeREF)min ≤ (VeREF+ VREF/VeREF),
Internal impedance of source RS < 100 ,
CVREF+ = 10 F (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±2
±4
LSB
EG
Gain error
(VeREF+ VREF/VeREF)min ≤ (VeREF+ VREF/VeREF),
CVREF+ = 10 F (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±1.1
±2
LSB
ET
Total unadjusted
error
(VeREF+ VREF/VeREF)min ≤ (VeREF+ VREF/VeREF),
CVREF+ = 10 F (tantalum) and 100 nF (ceramic)
2.2 V/3 V
±2
±5
LSB
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PDF描述
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参数描述
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