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参数资料
型号： MSP430FG4260IRGZ
厂商： TEXAS INSTRUMENTS INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 8 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQCC48
封装： GREEN, PLASTIC, QFN-48
文件页数： 32/66页
文件大小： 1391K
代理商： MSP430FG4260IRGZ
MSP430FG42x0
MIXED SIGNAL MICROCONTROLLER
SLAS556A JULY 2007 REVISED AUGUST 2007
38
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
electrical characteristics over recommended operating free-air temperature (unless otherwise
noted)
operational amplifier OA, supply specifications
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
TYP
MAX
UNIT
VCC
Supply voltage
—
2.2
3.6
V
Fast Mode
180
290
Sl
t
Fast Mode
180
290
I
Supply current
Medium Mode
2 2 V/3 V
110
190
A
ICC
Supply current
(see Note 1)
Medium Mode
2.2 V/3 V
110
190
μA
ICC
(see Note 1)
Slow Mode
2.2 V/3 V
50
80
μA
PSRR
Power supply rejection ratio
Non-inverting
2.2 V/3 V
70
dB
NOTES:
1. P6SEL.x = 1 or SD16AE.x = 1 for each corresponding pin when used in OA input or OA output mode.
operational amplifier OA, input/output specifications
PARAMETER
TEST CONDITIONS
VCC
MIN
TYP
MAX
UNIT
VI/P
Input voltage, I/P
—
0.1
VCC1.2
V
I
Input leakage current, I/P
TA = 40_C to 55_C
5
±0.5
5
nA
IIkg
Input leakage current, I/P
(see Notes 1 and 2)
TA = 55_C to 85_C
—
20
±5
20
nA
Fast Mode
50
Medium Mode
fV(I/P) = 1 kHz
80
V
Voltage noise density I/P
Slow Mode
fV(I/P)
1 kHz
140
nV/
√Hz
Vn
Voltage noise density, I/P
Fast Mode
—
30
nV/
√Hz
Medium Mode
fV(I/P) = 10 kHz
50
Slow Mode
fV(I/P)
10 kHz
65
V
Offset voltage I/P
2 2 V/3 V
±10
mV
VIO
Offset voltage, I/P
2.2 V/3 V
±10
mV
Offset temperature drift, I/P
see Note 3
2.2 V/3 V
±10
μV/°C
Offset voltage drift
with supply, I/P
0.3V
≤ VIN ≤ VCC0.3 V
ΔVCC≤ ± 10%, TA = 25°C
2.2 V/3 V
±1.5
mV/V
V
High level output voltage O/P
Fast Mode, ISOURCE ≤ 500 μA
2.2 V
VCC0.2
VCC
V
VOH
High-level output voltage, O/P
Slow Mode,ISOURCE ≤ 150 μA
3 V
VCC0.1
VCC
V
Low level output voltage O/P
Fast Mode, ISOURCE ≤ +500 μA
2.2 V
VSS
0.2
V
VOL
Low-level output voltage, O/P
Slow Mode,ISOURCE ≤ +150 μA
3 V
VSS
0.1
V
CMRR
Common-mode rejection ratio
Non-inverting
2.2 V/3 V
70
dB
NOTES:
1. ESD damage can degrade input current leakage.
2. The input bias current is overridden by the input leakage current.
3. Characterized and calculated using the box method, not production tested.
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