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参数资料
| 型号： | MSRD620CTT4RG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 132K |
| 描述： | IC ULTRA SOFT RECT 6A 200V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.15V @ 3A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 3A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 75ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MSRD620CTRG, MSRD620CTT4RG, SSRD8620CTRG, SSRD8620CTT4RG
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.01
0.1
1
10
1000
0.000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
10%
Duty Cycle = 50%
20%
5%
2%
1%
Single Pulse
Figure 7. Thermal Response, Junction?to?Ambient (46 mm2
pad)
PULSE TIME (sec)
R(t) (
?
C/W)
100
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1
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10%
Duty Cycle = 50%
20%
5%
2%
1%
Single Pulse
Figure 8. Thermal Response, Junction?to?Ambient (1 in2
pad)
PULSE TIME (sec)
R(t) (
?
C/W)
100
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MAX620EWN+ | IC DRVR MOSFET QUAD 18-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MSRE110 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| MSRE33 | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
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