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参数资料
| 型号： | MSRF860G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 119K |
| 描述： | DIODE SOFT REC 600V 8A TO-220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.7V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 120ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MSRF860G-ND MSRF860GOS |
MSR860G, MSRF860G
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 4. Current Derating, Ambient
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 5. Power Dissipation
160
120
40
0
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
21210
14
8
4
00
16
14
12
10
2
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
P
F(AV)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
4
6
8
80
RATED VR
APPLIED
dc
SQUARE WAVE
6
TJ
= 150
°C
dc
SQUARE WAVE
t
Figure 6. Typical Reverse Recovery Time
Figure 7. Typical Reverse Recovery Time
dIF/dt (A/S)
t
dIF/dt (A/S)
100 500200 300 400
160
20
0
, REVERSE RECOVERY TIME (ns)
rr
100
50
0
100 200
I
Figure 8. Typical Peak Reverse Recovery
Current
Figure 9. Typical Peak Reverse Recovery
Current
dIF/dt (A/S)
I
dIF/dt (A/S)
0
100 200 500300 400
8
4
, PEAK REVERSE RECOVERY CURRENT (AMPS)
RRM
14
2
0
100
140
120
100
80
60
40
300 400 500
150
200
250
200 300 400 500
4
6
8
10
12
, REVERSE RECOVERY TIME (ns)
rr
IF
= 16 A
8 A
4 A
TJ
= 25
°C
VR
= 400 V
IF
= 16 A
8 A
4 A
TJ
= 125
°C
VR
= 400 V
6
2
, PEAK REVERSE RECOVERY CURRENT (AMPS)
RRM
IF
= 16 A
8 A
4 A
TJ
= 25
°C
VR
= 400 V
IF
= 16 A
8 A
4 A
TJ
= 125
°C
VR
= 400 V
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PDF描述 |
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