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参数资料
型号： MT3S45T
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： 2-1B1A, TESM, 3 PIN
文件页数： 1/2页
文件大小： 117K
代理商： MT3S45T
MT3S45T
1
2002-11-13
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE
MT3S45T
VCO OSCILLETOR STAGE
UHF LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION
FEATURES
Low Noise Figure :NF=1.1dB (@f=2GHz)
High Gain:|S21e|
2=12.0dB (@f=2GHz)
Marking
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base voltage
VCBO
8
V
Collector-Emitter voltage
VCEO
4.5
V
Emitter-Base voltage
VEBO
1.5
V
Collector-Current
IC
30
mA
Base-Current
IB
15
mA
Collector Power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature Range
Tstg
55~150
°C
Unit: mm
TESM
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-1B1A
Weight:0.0022g (typ.)
3
1
2
R 4
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