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参数资料
| 型号： | MTD3055E |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 8 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | MTD3055E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD3055V-T4 | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD3055V1 | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD3055VL-1 | 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD3055VT4 | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD3302T4 | 8300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD3055E1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS IV N-Channel Enhancement-Mode Power Field Effect Transistor DPAK for Surface or Insertion Mount |
| MTD3055EL | 制造商:Motorola Inc 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-252AA |
| MTD3055ELT4 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:3055ELT4 |
| MTD3055V | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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