- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录187175 > MTD3055EL1 (MOTOROLA INC) 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MTD3055EL1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | MTD3055EL1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD3055V-1 | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD6N20E-T4 | 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTDF1C02HDR2 | 1700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTDF1N02HDR2 | 1900 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTDF1P02HDR2 | 1300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD3055ELT4 | 制造商:Motorola Inc 功能描述:3055ELT4 |
| MTD3055V | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTD3055V1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail |
| MTD3055VL | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。