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参数资料
| 型号： | MTD6N20ET4 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 248K |
| 代理商： | MTD6N20ET4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTD6N20ET5G | 6 A, 200 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD6P10E-T4 | 6 A, 100 V, 0.66 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD6P10ET4 | 6 A, 100 V, 0.66 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTD9N10ET4 | 9 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MTDF2N06HDR2 | 1500 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTD6N20ET4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD6N20ET5G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 200V 6A 700MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTD6P10E | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MTD6P10ET4 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| MTD7030 | 制造商:MARKTECH 制造商全称:Marktech Corporate 功能描述:PHOTO DIODE |
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