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参数资料
| 型号： | MTM20N10 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 100 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | MTM20N10 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP20N08 | 20 A, 80 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP20N10 | 20 A, 100 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTM23223 | 4500 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTM25N05 | 25 A, 50 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| MTM25N06 | 25 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTM20P10 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTM231100L | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MTM231102LBF | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:Schottky Diode 30V 1A 0.36V SMini2-F4-B |
| MTM231230L | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| MTM231232LBF | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:Schottky Diode 30V 1A 0.47V SMini2-F4-B |
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