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参数资料
| 型号： | MTM6N55 |
| 厂商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 功率场效应晶体管 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | MTM6N55 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTIL113 | 6-Pin DIP Optoisolators Darlington Output |
| MTIL117 | 6-Pin DIP Optoisolator Transistor Output |
| MTM40N20 | CAP 8200PF 50V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22 |
| MTP10N10EL | TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS |
| MTP10N10E | TMOS POWER FETs 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTM761100LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTM76111 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:VIN = 2.9V to 5.5V 2ch,0.8A General-purpose High Efficiency Power LSI |
| MTM761110LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTM761230LBF | 功能描述:MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTM763200LBF | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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