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参数资料
| 型号： | MTMC8E28 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 7000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | 2.90 X 2.80 MM, 0.80 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, WMINI8-F1, 8 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MTMC8E28 |
Silicon MOS FETs (Small Signal)
Publication date: May 2008
SJF00087BED
1
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MTMC8E28
Dual N-channel MOS FET
For lithium-ion secondary battery protection circuit
Overview
The MTMC8E28 features the industry's lowest on-resistance, which has been
realized by leading-edge ne processing, and the adoption of ultra-miniature
package, which is most suitable for battery packs for mobile devices.
Features
Low on-resistance: Ron = 15 m (typ.) (VGS = 4.5 V)
Mini type package and surface mounting type
2.9 mm × 2.8 mm (height 0.8 mm)
Drain common 2 elements
Halogen free
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Drain-source surrender voltage
VDSS
20
V
Gate-source surrender voltage
VGSS
±
10
V
Drain current
ID
7.0
A
Peak drain current
IDP
42
A
Power dissipation *
PD
1.0
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°
C
Note) *: Glass epoxy board: 25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm
Copper foil of the drain portion should have a area of 300 mm2 or more
PD absolute maximum rating without a heat shink: 400 mW
Package
Code
WMini8-F1
Pin Name
1: Source 1
5: Drain
2: Gate 1
6: Drain
3: Source 2
7: Drain
4: Gate 2
8: Drain
Marking Symbo: 4A
Internal Connection
4
(G2)
3
(S2)
(D)
5
1
(S1)
2
(G1)
(D)
8
(D)
7
(D)
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTMC8E2A | 7000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MTMM-101-04-G-S-070 | 1 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT BOARD STACKING CONNECTOR, SOLDER |
| MTMM-101-04-L-D-070 | 2 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT BOARD STACKING CONNECTOR, SOLDER |
| MTMM-101-04-L-Q-070 | 4 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT BOARD STACKING CONNECTOR, SOLDER |
| MTMM-101-04-L-S-070 | 1 CONTACT(S), MALE, STRAIGHT BOARD STACKING CONNECTOR, SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTMC8E280LBF | 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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| MTMD6891T38 | 功能描述:Infrared (IR), Visible Emitter 1300nm, 950nm, 850nm, 670nm 0.8V, 1.25V, 1.45V, 1.8V 100mA, 100mA, 100mA, 50mA TO-5-8 Metal Can 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:IR，可见 电流 - DC 正向（If）:100mA，100mA，100mA，50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:1300nm，950nm，850nm，670nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:0.8V，1.25V，1.45V，1.8V 视角:- 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-5-8 金属罐 标准包装:10 |
| MTMD6894T38 | 功能描述:Infrared (IR), Visible Emitter 950nm, 810nm, 670nm 1.25V, 1.6V, 1.8V 100mA, 100mA, 50mA TO-5-8 Metal Can 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:IR，可见 电流 - DC 正向（If）:100mA，100mA，50mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:- 波长:950nm，810nm，670nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V，1.6V，1.8V 视角:- 朝向:顶视图 工作温度:-20°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-5-8 金属罐 标准包装:10 |
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