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参数资料
| 型号： | MTP10N06E |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | MTP10N06E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTM10N12L | 10 A, 120 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| MTM10N15L | 10 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| MTP10N12L | 10 A, 120 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTM12N05 | 12 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| MTP12N05 | 12 A, 50 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP10N06MOT | 制造商:Motorola 功能描述:10N06 |
| MTP10N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
| MTP10N10E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FETs 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM |
| MTP10N10EL | 功能描述:MOSFET 100V 10A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP10N10ELG | 功能描述:MOSFET 100V 10A Logic Level N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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