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参数资料
| 型号： | MTP10N10 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 100 V, 0.33 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | MTP10N10 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP10N35 | 10 A, 350 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP12N06EZL | 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP12N08 | 12 A, 80 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP12N10 | 12 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP12N10ELWC | 12 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP10N10E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FETs 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM |
| MTP10N10EL | 功能描述:MOSFET 100V 10A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP10N10ELG | 功能描述:MOSFET 100V 10A Logic Level N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP10N10M | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MTP10N15 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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