型号: | MTP10N10EA |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 10 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 66K |
代理商: | MTP10N10EA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTP3N60EA16A | 3 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP33N10EL | 33 A, 100 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP6P20E16 | 6 A, 200 V, 1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP7P06W | 7 A, 60 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP4N40EWC | 4 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTP10N10EL | 功能描述:MOSFET 100V 10A Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTP10N10ELG | 功能描述:MOSFET 100V 10A Logic Level N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTP10N10M | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MTP10N15 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
MTP10N25 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |