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参数资料
| 型号： | MTP12N10EL |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | MTP12N10EL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP20N06A | 20 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MPSW06RLRP | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSW64RLRM | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MTD3055ELT4 | 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MPF4858RLRE | 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP12N18 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
| MTP12N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
| MTP12P06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MTP12P10 | 功能描述:MOSFET 100V 12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP12P10G | 功能描述:MOSFET 100V 12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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