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参数资料
| 型号： | MTP3055E |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | MTP3055E |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP30N06EL | 26 A, 60 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| MTP15N06E | 15 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| MTP52N06VLG | 52 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP52N06V | 52 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP5N40E | 5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP3055EL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TMOS IV N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE |
| MTP3055V | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP3055V | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| MTP3055V_L86Z | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP3055VL | 功能描述:MOSFET 60V Single N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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