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参数资料
| 型号： | MTP50N05EWC |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 50 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | MTP50N05EWC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MTP12P10U2 | 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP2955N | 12 A, 60 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP8N20L | 8 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP8N20U | 8 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MTP3055E16 | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTP50N06 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.032 OHM |
| MTP50N06EL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MTP50N06V | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP50N06V_L86Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MTP50N06VL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
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