型号: | MTP50N06EA |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 50 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 66K |
代理商: | MTP50N06EA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MTA4N50E | 4 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
MTP20N06T | 20 A, 60 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP3055ET | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP3N60EAF | 3 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
MTP12N20S | 12 A, 200 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTP50N06EL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MTP50N06V | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTP50N06V_L86Z | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MTP50N06VL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
MTP50P03HDL | 功能描述:MOSFET 30V 50A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |