型号: | MTZJ3.0A |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
封装: | MSD, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 60K |
代理商: | MTZJ3.0A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MV1401A-4M | 550 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-14 |
MV1407A-10M | 68 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
MV1411-10M | 15 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
MV1411A-4M | 15 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
MV1412-9M | 10 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTZJ30B | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,5% 30V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ30B_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Zener diode |
MTZJ30C | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,5% 30V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ30D | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,5% 30V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ30V | 制造商:YEASHIN 制造商全称:YEASHIN 功能描述:500 mW DO-34 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators |