型号: | MTZJ5.1A |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 5.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
封装: | MSD, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 60K |
代理商: | MTZJ5.1A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MV1406B-10M | 100 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
MV1407B-3M | 68 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
MV1409A-10M | 33 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
MV1403B-3MCHIP | 175 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
MV1410-6MCHIP | 22 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MTZJ5R1B | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
MTZJ5R1CTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
MTZJ5V1A | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,6% 5V1 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ5V1B | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,6% 5V1 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ5V1C | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,7% 5V1 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |