型号: | MTZJ6.2A-BP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 3.58 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
封装: | ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 279K |
代理商: | MTZJ6.2A-BP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MAZS130G0L | 13 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MAZS200GLL | 19.3 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MAZS270GML | 27 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
M0310YH350 | 310 A, 3500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MBRB20090GCTTRLPBF | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTZJ6R8BTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
MTZJ6V2A | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,7% 6V2 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ6V2B | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,6% 6V2 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ6V2C | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,5% 6V2 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ6V8A | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,6% 6V8 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |