型号: | MTZJ6.2C |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
封装: | MSD, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 60K |
代理商: | MTZJ6.2C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MV1401-5M | 550 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-14 |
MV1401A-7M | 550 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-14 |
MV1403A-9M | 175 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
MV1404A-7M | 120 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
MV1406A-5M | 100 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTZJ6R8BTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
MTZJ6V2A | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,7% 6V2 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ6V2B | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,6% 6V2 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ6V2C | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,5% 6V2 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ6V8A | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,6% 6V8 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |