型号: | MTZJ6.8B |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
封装: | GLASS, MSD, 2 PIN |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 114K |
代理商: | MTZJ6.8B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MUR1620CT | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MUR440 | 4 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
MURB1020CTTRRPBF | 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MURB2020CTTRLPBF | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MURB820-1PBF | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTZJ6R8BTA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
MTZJ6V2A | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,7% 6V2 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ6V2B | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,6% 6V2 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ6V2C | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,5% 6V2 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ6V8A | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,6% 6V8 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |