型号: | MTZJ9.1A-BP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 4.17 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
封装: | ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2 |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 279K |
代理商: | MTZJ9.1A-BP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMSZ5242BS | 12 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MAZS030GHL | 3.1 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MAZS120GLL | 11.7 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MAZS390G0L | 39 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5256BW | 30 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MTZJ9V1A | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,6% 9V1 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ9V1B | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,5% 9V1 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJ9V1C | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 2,6% 9V1 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MTZJT-7210B | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE ZENER SINGLE 9.655V 3% 500MW 2-PIN MSD AMMO - Ammo Pack 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Diode,Zener,MTZJT-72 10B 500mW DO3410V |
MTZJT-7210C | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE ZENER SINGLE 3% 500MW 2-PIN MSD AMMO - Ammo Pack 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO34 |