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参数资料
| 型号： | MTZJT-777.5B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | MTZJT-777.5B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MP3510W | 35 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MMSZ12T1T3 | 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ24T1T3 | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MCL4448 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MBD110DWT3 | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTZJT-778.2B | 功能描述:稳压二极管 8.2V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MTZJT-778.2C | 功能描述:稳压二极管 8.2V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MTZJT-779.1A | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MTZJT-779.1B | 功能描述:稳压二极管 9.1V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MTZJT-779.1C | 功能描述:稳压二极管 9.1V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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