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参数资料
| 型号： | MTZJT-778.2C |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | MTZJT-778.2C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ3V6T1T3 | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ43T1T3 | 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MBD701RLRM | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| MMBD701T1 | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
| MPN3404RLRF | 20 V, SILICON, PIN DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MTZJT-779.1A | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| MTZJT-779.1B | 功能描述:稳压二极管 9.1V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MTZJT-779.1C | 功能描述:稳压二极管 9.1V 5MA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MTZPC-E-OEM | 制造商:Multi-Tech Systems 功能描述:EDGE,850/900/1800/1900M(PCI) |
| MU 454882FPA(MA) | 制造商:NSF (CONTROLS) 功能描述:MECHANISM MA 30 DEG METAL 制造商:NSF (CONTROLS) 功能描述:MECHANISM, MA 30 DEG, METAL 制造商:NSF (CONTROLS) 功能描述:MECHANISM, MA 30 DEG, METAL; For Use With:MU-MA Rotary Wafer Switches ;RoHS Compliant: Yes |
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