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参数资料
| 型号： | MUBW15-06A6 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E1 |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 18A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 0.57nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 61W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E1 |
| 供应商设备封装： | E1 |
MUBW15-06A6K
Ouput Inverter T1 - T6
Ratings
Symbol
V CES
V GES
V GEM
I C25
I C80
P tot
Definitions
collector emitter voltage
max. DC gate voltage
max. transient collector gate voltage
collector current
total power dissipation
Conditions
continuous
transient
T VJ = 25°C to 150°C
T C = 25°C
T C = 80°C
T C = 25°C
min.
typ.
max.
600
±20
±30
19
14
75
Unit
V
V
V
A
A
W
V CE(sat)
V GE(th)
I CES
collector emitter saturation voltage
gate emitter threshold voltage
collector emitter leakage current
I C = 15 A; V GE = 15 V
I C = 0.35 mA; V GE = V CE
V CE = V CES ; V GE = 0 V
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
4.5
2.4
2.8
1.1
2.9
6.5
0.6
V
V
V
mA
mA
I GES
C ies
Q G(on)
gate emitter leakage current
input capacitance
total gate charge
V CE = 0 V; V GE = ±20 V
V CE = 25 V; V GE = 0 V; F = 1 MHZ
V CE = 300 V; V GE = 15 V; I C = 10 A
600
39
100
nA
PF
nC
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
turn-on delay time
current rise time
turn-off delay time
current fall time
turn-on energy per pulse
turn-off energy per pulse
inductive load
V CE = 300 V; I C = 10 A
V GE = ±15 V; R G = 82 W
T VJ = 125°C
40
40
230
30
0.4
0.3
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
I CM
reverse bias safe operating area
RBSOA; V GE = ±15 V; R G = 82 W
L = 100 μH; CLAMPED INDUCT. LOAD T VJ = 125°C
V CEMAX = V CES - L S · di/dt
20
A
t SC
(SCSOA)
R thJC
R thCH
short circuit safe operating area
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
V CE = 600 V; V GE = ±15 V;
R G = 82 W ; NON-REPETITIVE
(PER IGBT)
(PER IGBT)
T VJ = 125°C
10
0.6
1.7
μS
K/W
K/W
Output Inverter D1 - D6
Ratings
Symbol
V RRM
I F25
I F80
V F
I RM
t rr
E rec(off)
Definitions
max. repetitve reverse voltage
forward current
forward voltage
max. reverse recovery current
reverse recovery time
reverse recovery energy
Conditions
I F = 15 A; V GE = 0 V
V R = 300 V
di F /DT = -400 A/μS
I F = 15 A; V GE = 0 V
T VJ = 150°C
T C = 25°C
T C = 80°C
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
T VJ = 100°C
min.
typ.
1.7
13
80
tbd
max.
600
21
14
2.3
Unit
V
A
A
V
V
A
ns
μJ
R thJC
R thCH
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
(PER DIODE)
(PER DIODE)
0.85
2.5
K/W
K/W
T C = 25°C unless otherwise stated
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090929b
2-5
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