参数资料
型号: MUBW15-12A7
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E2
标准包装: 6
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.6V @ 15V,15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 35A
电流 - 集电极截止(最大): 900µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 1nF @ 25V
功率 - 最大: 180W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E2
供应商设备封装: E2
MUBW 15-12 A7
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
6
120
6
600
E on
mJ
4
t d(on)
ns
80
t
E off
mJ
4
t d(off)
ns
400 t
E off
t r
V CE = 600V
V CE = 600V
2
E on
V GE = ±15V
R G = 82 ?
T VJ = 125°C
40
2
V GE = ±15V
R G = 82 ?
T VJ = 125°C
200
t f
0
0
0
0
0
10
20
30 A
0
10
20
30 A
I C
Fig. 13 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 14 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
E on
3
mJ
2
E on
t d(on)
150
ns
100
t
2.0
mJ
E off 1.5
E off
t d(off)
800
ns
600
t
t r
V CE = 600V
1.0
V CE = 600V
400
I C
1
V GE = ±15V
= 15A
T VJ = 125°C
50
0.5
V GE = ±15V
I C = 15A
T VJ = 125°C
200
t f
0
0
20
40
60
80
100
0
120 ? 140
0.0
0
20
40
60
80
100
0
120 ? 140
40
R G
Fig. 15 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
10
R G
Fig.16 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
A
K/W
diode
I CM
30
Z thJC
1
IGBT
0.1
20
0.01
10
R G = 82 ?
0.001
single pulse
T VJ = 125°C
0
0.0001
MUBW1512A7
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 V
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 17 Reverse biased safe operating area
RBSOA
? 2004 IXYS All rights reserved
t
Fig. 18 Typ. transient thermal impedance
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