- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18837 > MUBW20-06A6K (IXYS)MODULE IGBT CBI E1 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MUBW20-06A6K |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E1 |
| 标准包装： | 10 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，15A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 25A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 600µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 0.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E1 |
| 供应商设备封装： | E1 |
MUBW20-06A6K
Input Rectifier Bridge D8 - D13
Symbol
Definitions
Conditions
MAXIMUM RATINGS
V RRM
max. repetitive reverse voltage
1600
V
I FAV
I DAVM
I FSM
P tot
average forward current
max. average DC output current
max. surge forward current
total power dissipation
sine 180°
rectangular; d = 1 / 3 ; bridge
T = 10 MS; SINE 50 HZ
T C = 80°C
T C = 80°C
T C = 25°C
T C = 25°C
23
65
250
65
A
A
A
W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V F
I R
R thJC
R thCH
forward voltage
reverse current
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
I F = 30 A
V R = V RRM
(PER DIODE)
(PER DIODE)
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
1.1
1.2
0.4
0.65
1.45
0.02
1.9
V
V
mA
mA
K/W
K/W
Temperature Sensor NTC
Ratings
Symbol
R 25
B 25/85
Definitions
resistance
Conditions
T C = 25°C
min.
4.45
typ.
4.7
3510
max.
5.0
Unit
K W
K
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ.
max.
Unit
T VJ
T VJM
T stg
V ISOL
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
isolation voltage
I ISOL < 1 MA; 50/60 HZ
-40
-40
125
150
125
2500
°C
°C
°C
V~
M d
d S
d A
mounting torque
creep distance on surface
strike distance through air
(M4)
2.0
12.7
12.7
2.2
Nm
mm
mm
Weight
Equivalent Circuits for Simulation
40
g
I
V 0
R 0
Ratings
Symbol
V 0
R 0
V 0
R 0
V 0
R 0
V 0
R 0
V 0
R 0
Definitions
rectifier diode
IGBT
free wheeling diode
IGBT
free wheeling diode
Conditions
D8 - D13
T1 - T6
D1 - D6
T7
D7
T VJ = 125°C
T VJ = 125°C
T VJ = 125°C
T VJ = 125°C
T VJ = 125°C
min.
typ.
0.90
12
1.0
70
1.25
13
1.4
150
1.25
26
max.
Unit
V
m W
V
m W
V
m W
V
m W
V
m W
T C = 25°C unless otherwise stated
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090929b
4-5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACH4518-220-TD01 | FILTER 3-TERM 600MHZ 2A SMD |
| B642-2T | MOD DIODE SCR 42.5A 240V .250"QC |
| MK15-C-2 | SENSOR REED SPST-NO SMD |
| 3781-60-7 | CORD MINIGRABBER PATCH 60"VIOLET |
| 3781-60-6 | CORD MINIGRABBER PATCH 60" BLUE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUBW20-06A7 | 功能描述:分立半导体模块 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW25-06A6 | 功能描述:MODULE IGBT CBI E1 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| MUBW25-06A6K | 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW25-12A7 | 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW25-12T7 | 功能描述:分立半导体模块 25 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。