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参数资料
| 型号： | MUBW6-06A6 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-25 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | MUBW6-06A6 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MUN2112T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2211T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2212T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUR1010CT-BP | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MUBW75-12T8 | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MUBW75-17T8 | 功能描述:分立半导体模块 75 Amps 1700V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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