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参数资料
| 型号： | MUN2133T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/38页 |
| 文件大小： | 385K |
| 代理商： | MUN2133T3 |
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MUN2111T1 SERIES
2–733
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued) (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage (off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 k)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.050 V, RL = 1.0 k) MUN2130T1
(VCC = 5.0 V, VB = 0.25 V, RL = 1.0 k)
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2131T1
MUN2132T1
VOH
4.9
—
Vdc
Input Resistor
MUN2111T1
MUN2112T1
MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1
MUN2116T1
MUN2130T1
MUN2131T1
MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
15.4
10
22
47
10
4.7
1.0
2.2
4.7
22
13
28.6
61.1
13
6.1
1.3
2.9
6.1
28.6
k
Resistor Ratio
MUN2111T1/MUN2112T1/MUN2113T1
MUN2114T1
MUN2115T1/MUN2116T1
MUN2130T1/MUN2131T1/MUN2132T1
MUN2133T1
MUN2134T1
R1/R2
0.8
0.17
—
0.8
0.055
0.38
1.0
0.21
—
1.0
0.1
0.47
1.2
0.25
—
1.2
0.185
0.56
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0
– 50
0
50
100
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(MILLIW
A
TTS)
R
θJA = 625°C/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2130T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2112T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2134T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2131T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2116T3 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MUN2134T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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