| 型号: | MUN2212T3 |
| 厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数: | 37/39页 |
| 文件大小: | 374K |
| 代理商: | MUN2212T3 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2230T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2232T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2236T1G | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2211T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2241T1G | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUN2213 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| MUN2213JT1 | 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| MUN2213JT1G | 功能描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V 电阻器 - 基极 (R1)(欧):47k 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大):- 频率 - 转换:100MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:PG-SOT323-3 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000756242 |
| MUN2213RT1 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2213T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |