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参数资料
| 型号： | MUN2233T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 35/39页 |
| 文件大小： | 374K |
| 代理商： | MUN2233T3 |
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MUN2211T1 SERIES
2–742
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN2212T1
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 7. VCE(sat) versus IC
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. Output Capacitance
Figure 10. Output Current versus Input Voltage
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TA =75°C
25
°C
–25
°C
100
10
1
100
75
°C
25
°C
100
0
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
10
1
0.1
0.01
0.001
24
6
8
10
TA = –25°C
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
VO = 0.2 V
TA = –25°C
75
°C
10
1
0.1
10
20
30
40
50
25
°C
Figure 11. Input Voltage versus Output Current
0.001
V
CE(sat)
,MA
X
IM
U
M
COLLECT
OR
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS)
25
°C
IC/IB = 10
0.01
0.1
1
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
020
60
80
50
010
20
3040
4
3
2
1
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF
)
VCE = 10 V
f = 1 MHz
IE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
TA = –25°C
75
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN2234T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2231T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2213T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2212T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN2230T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUN2234 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MUN2234RT1 | 制造商:LRC 制造商全称:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MUN2234T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2234T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN2235T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NPN DIGITAL TRANSISTOR (B - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NPN DIGITAL TRANSISTOR (B |
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