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参数资料
| 型号： | MUN5212 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, CASE 419-02, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | MUN5212 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE15030T | 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE15031UA | 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPSA5 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MJ10014 | 10 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| MJE16002A | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUN5212DW | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
| MUN5212DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k |
| MUN5212DW1T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN5212DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT Dual NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN5212T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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