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参数资料
| 型号： | MUN5213T3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | MUN5213T3 |
MUN5211T1 SERIES
http://onsemi.com
7
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — MUN5214T1
10
1
0.1
010
20
30
40
50
100
10
1
02
4
6
8
10
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
02
46
8
10
15
20
25 30
35
40
45
50
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
Figure 17. VCE(sat) versus IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
020
40
60
80
V
CE(sat)
,MA
X
IMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 19. Output Capacitance
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(p
F)
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
0.01
0.001
–25
°C
25
°C
TA =75°C
VCE = 10
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
15
20 40
50 60 70 80
90
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
25
°C
IC/IB = 10
TA = –25°C
TA =75°C
25
°C
–25
°C
VO = 0.2 V
TA = –25°C
75
°C
VO = 5 V
25
°C
75
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5211T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5230T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5232T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5213T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5212T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUN5213TI | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MUN5214 | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:NPN Silicon Bias Resistor Transistor |
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| MUN5214DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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