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参数资料
| 型号： | MUN5231T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 19/39页 |
| 文件大小： | 377K |
| 代理商： | MUN5231T3 |
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8–7
Package Outline Dimensions
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 1:
PIN 1. CATHODE
2. ANODE
B
D
K
A
C
E
J
1
2
H
CASE 425–04
SOD–123
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.055
0.071
1.40
1.80
B
0.100
0.112
2.55
2.85
C
0.037
0.053
0.95
1.35
D
0.020
0.028
0.50
0.70
E
0.004
–––
0.25
–––
H
0.000
0.004
0.00
0.10
J
–––
0.006
–––
0.15
K
0.140
0.152
3.55
3.85
CASE 463–01
SOT–416/SC–90
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
0.70
0.80
0.028
0.031
B
1.40
1.80
0.055
0.071
C
0.60
0.90
0.024
0.035
D
0.15
0.30
0.006
0.012
G
1.00 BSC
0.039 BSC
H
–––
0.10
–––
0.004
J
0.10
0.25
0.004
0.010
K
1.45
1.75
0.057
0.069
L
0.10
0.20
0.004
0.008
S
0.50 BSC
0.020 BSC
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
M
0.20 (0.008)
B
–A–
–B–
S
D
G
3 PL
0.20 (0.008) A
K
J
L
C
H
3
2
1
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
STYLE 4:
PIN 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5214T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5216T3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5311DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5313DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MUN5314DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUN5232 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistors |
| MUN5232DW | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Dual Bias Resistor Transistor |
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| MUN5232DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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