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参数资料
| 型号： | MUN5330DW1T3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 419B-01, 6 PIN |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 352K |
| 代理商： | MUN5330DW1T3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUN5312DW1T2 | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MW6S004NT1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MW6S010MR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MW6S010GMR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MW6S010NR1 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MUN5331DW | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor NPNPNP Silicon |
| MUN5331DW1T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN5331DW1T1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA Complementary 50V NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| MUN5332DW | 制造商:WEITRON 制造商全称:Weitron Technology 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor NPNPNP Silicon |
| MUN5332DW1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k |
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