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参数资料
| 型号： | MUR1020CT-BP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | MUR1020CT-BP |
MUR1010CT
THRU
MUR1020CT
10 Amp SuperFast
Glass Passivated
Rectifier
Features
Maximum Ratings
Operating Junction Temperature: -55
°C to +150°C
Storage Temperature: -55
°C to +150°C
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
MUR1010CT MUR1010CT
100V
70V
100V
MUR1020CT MUR1020CT
200V
140V
200V
MCC
PIN 1
PIN 3
PIN 2
CASE
A
B
C
K
J
I
H
G
F
D
N
M
L
H
PIN
13
2
Electrical Characteristics @ 25
°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
10 A
TC = 125
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
55 A
8.3ms, half sine
Maximum Forward
Voltage Drop Per
Element
0.975V
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
5uA
500uA
TJ = 25
°C
TJ = 100
°C
0.925V
Maximum Reverse
Recovery Time
*Pulse Test: Pulse Width 300
sec, Duty Cycle 2%
CJ
80pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
Typical Junction
Capacitance
35ns
Trr
TJ = 25
°C IF= 5A
TJ = 125
°C
IF=0.5A, Ir=1.0A,
Irr=0.25A
VF
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
Revision:
6
2007/
10/08
INCHES
MM
A
.560
.625
14.22
15.88
B
.380
.420
9.65
10.67
C
.100
.135
2.54
3.43
D
.230
.270
5.84
6.86
F
------
.250
------
6.35
G
.500
.580
12.70
14.73
H
.090
.110
2.29
2.79
I
.020
.045
0.51
1.14
J
.012
.025
0.30
0.64
K
.139
.161
3.53
4.09
L
.140
.190
3.56
4.83
M
.045
.055
1.14
1.40
N
.080
.115
2.03
2.92
TO-220AB
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
1 of 3
Glass passivated chip
Superfast switching time for hight efficiency
Low reverse leakage current
High surge capacity
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR1020F | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MUR1110 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| MUR160 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
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| MUR170E | 1 A, 700 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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