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参数资料
| 型号： | MUR120 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 115K |
| 描述： | DIODE ULTRA FAST 1A 200V DO-41 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Jun/2009 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 875mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 200V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | 轴向 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | MUR120OS |
MUR120 Series
http://onsemi.com
4
MUR130, MUR140, MUR160
Figure 6. Typical Forward Voltage
vF,
INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
0.3 0.90.5 1.30.7
1.1 1.5 1.9
3.0
0.01
0.03
0.02
0.2
0.1
10
2.0
0.7
0.3
0.05
0.5
5.0
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
F
2.3
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0 200100 300 400
100
0.01
0.004
1.0
10
TJ
= 175
°C
I
R
700
Figure 7. Typical Reverse Current*
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
P
F(AV)
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
050100 200
0
2.0
1.0
3.0
5.0
4.0
I
250
Figure 8. Current Derating
(Mounting Method #3 Per Note 2)
Figure 9. Power Dissipation
0
5.0
10
20
2.0
10 20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Typical Capacitance
0.07
1.0
7.0
1.7 2.1
100°C
TJ= 175°C
25°C
600
500
0.1
, REVERSE CURRENT ( A)
100°C
25°C
150
* The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections
can be estimated from these same curves if VR
is sufficiently below
rated VR.
C, CAPACITANCE (pF)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
TJ
= 25
°C
i
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
F(AV)
30 40 50
3.0
7.0
TJ
= 175
°C
RATED VR
RJA
= 50
°C/W
dc
SQUARE WAVE
IPK
20
IAV
SQUARE WAVE
dc
5.0
10
400
0.04
4.0
40
0.4
(CAPACITIVE LOAD)
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参数描述 |
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